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RMLV0816BGBG-4S2#AC0 SRAM Speicher IC 8Mbit Parallel 45 Ns 48-TFBGA (7,5x8,5)
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RMLV0816BGBG-4S2#AC0 SRAM Speicher IC 8Mbit Parallel 45 Ns 48-TFBGA (7,5x8,5)

RMLV0816BGBG-4S2#AC0 SRAM Speicher IC 8Mbit Parallel 45 Ns 48-TFBGA (7,5x8,5)

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (ICs)
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
45ns
Lieferanten-Gerätepaket:
48-TFBGA (7,5 x 8,5)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Rochester Electronics, LLC
Speichergröße:
8Mbit
Spannung - Versorgung:
2.7V ~ 3.6V
Packung / Gehäuse:
48-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
512K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Zugriffszeit:
45 ns
Speicherformat:
SRAM
Markieren: 

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt.

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RMLV0816BGBG-4S2#AC0 SRAM-Speicher-IC

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
RMLV0816BGB - 8 Mb Erweiterte LPSRA
Produkt-Beschreibung

SRAM - Asynchrone Speicher IC 8Mbit Parallel 45 ns 48-TFBGA (7,5x8,5)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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