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R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mbit Parallel 12 ns 44-TSOP II
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R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mbit Parallel 12 ns 44-TSOP II

R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mbit Parallel 12 ns 44-TSOP II

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (ICs)
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
R1RW0416DI
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
44-TSOP II
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
RENESAS
Speichergröße:
4Mbit
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Packung / Gehäuse:
44-TSOP (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
256K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Zugriffszeit:
12 ns
Speicherformat:
SRAM
Markieren: 

R1RW0416DSB-2PI#D1

,

R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
R1RW0416D-I - Weite Temperatur R
Produkt-Beschreibung

SRAM - Asynchrone Speicher-IC 4Mbit Parallel 12 ns 44-TSOP II

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

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