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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • 71V416S15YGI

71V416S15YGI

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
44-SOJ
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Speichergröße:
4Mbit
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
15 ns
Packung / Gehäuse:
44-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
256K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Basisproduktnummer:
71V416S
Speicherformat:
SRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Produkt-Beschreibung
SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mbit Parallel 15 ns 44-SOJ

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