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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • 71024S20YG

71024S20YG

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
20ns
Lieferanten-Gerätepaket:
32-SOJ
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Speichergröße:
1Mbit
Spannung - Versorgung:
4.5V ~ 5.5V
Zugriffszeit:
20 ns
Packung / Gehäuse:
32-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
128K x 8
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Basisproduktnummer:
71024S
Speicherformat:
SRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Produkt-Beschreibung
SRAM - Asynchrone Speicher IC 1Mbit Parallel 20 ns 32-SOJ

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