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HYB25L512160AC-7.5 Rollen
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HYB25L512160AC-7.5 Rollen

HYB25L512160AC-7.5 Rollen

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
14ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Infineon Technologies
Uhrfrequenz:
133 MHZ
Spannung - Versorgung:
2.3V ~ 3.6V
Packung / Gehäuse:
54-LFBGA
Gedächtnisorganisation:
32M x 16
Betriebstemperatur:
0°C ~ 70°C (TC)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR
Zugriffszeit:
6 ns
Speicherformat:
DRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
Produkt-Beschreibung
SDRAM - Mobile LPDDR-Speicher IC 512 Mbit Parallel 133 MHz 6 ns 54-FBGA (8x12)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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