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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
  • Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
1Tbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schachtel
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
eMMC_5.1
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
153-VFBGA (11.5x13)
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
2.7V ~ 3.6V
Packung / Gehäuse:
153-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
128G x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 105 °C (TA)
Technologie:
BLITZ - NAND (SLC)
Speicherformat:
Flasch
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
USSD 1T
Produkt-Beschreibung
FLASH - NAND (SLC) Speicher IC 1Tbit eMMC_5.1 200 MHz 153-VFBGA (11.5x13)

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