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IS42S32160F-75EBLI
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IS42S32160F-75EBLI

IS42S32160F-75EBLI

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
90-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
133 MHZ
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
6 ns
Packung / Gehäuse:
90-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16M x 32
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM
Basisproduktnummer:
IS42S32160
Speicherformat:
DRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Produkt-Beschreibung
SDRAM-Speicher IC 512 Mbit Parallel 133 MHz 6 ns 90-TFBGA (8x13)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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