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W97BH6MBVA1E TR
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W97BH6MBVA1E TR

W97BH6MBVA1E TR

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
2Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
HSUL_12
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Bereitstellung von Anlagen für die Anlagentechnik
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Winbond-Elektronik
Uhrfrequenz:
533 MHZ
Spannung - Versorgung:
1.14V | 1.3V, 1.7V | 1.95V
Packung / Gehäuse:
134-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
128M x 16
Betriebstemperatur:
-25°C | 85°C (TC)
Technologie:
SDRAM - mobile LPDDR2-S4B
Basisproduktnummer:
W97BH6
Speicherformat:
DRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA
Produkt-Beschreibung
SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B Speicher IC 2Gbit HSUL_12 533 MHz 134-VFBGA (10x11.5)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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