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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von Zellstoff.
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von Zellstoff.

Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von Zellstoff.

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512Mbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
400 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.9V
Zugriffszeit:
400 ps
Packung / Gehäuse:
60-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
64M x 8
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR2
Basisproduktnummer:
IS43DR86400
Speicherformat:
DRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Produkt-Beschreibung
SDRAM - DDR2-Speicher IC 512Mbit Parallel 400 MHz 400 PS 60-TWBGA (8x10.5)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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