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Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten sind in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten.
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Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512Mbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
66-TSOP II
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
2.3V | 2.7V
Zugriffszeit:
700 ps
Packung / Gehäuse:
66-TSSOP (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
32M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Basisproduktnummer:
Einheit für die Berechnung der Nennwerte
Speicherformat:
DRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Produkt-Beschreibung
SDRAM - DDR-Speicher IC 512Mbit Parallel 200 MHz 700 ps 66-TSOP II

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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