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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • W989D6DBGX6E

W989D6DBGX6E

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
LVCMOS
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Winbond-Elektronik
Uhrfrequenz:
166 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V | 1.95V
Zugriffszeit:
5 ns
Packung / Gehäuse:
54-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
32M x 16
Betriebstemperatur:
-25°C | 85°C (TC)
Technologie:
SDRAM – Mobiles LPSDR
Basisproduktnummer:
W989D6
Speicherformat:
DRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54VFBGA
Produkt-Beschreibung
SDRAM - Mobile LPSDR-Speicher IC 512Mbit LVCMOS 166 MHz 5 ns 54-VFBGA (8x9)

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