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Die Ausrüstung ist aus einem Material mit einem hohen Gehalt an Kohlenwasserstoffen bestehen, das in der Regel nicht mit einem hohen Gehalt an Kohlenwasserstoffen versehen ist.
  • Die Ausrüstung ist aus einem Material mit einem hohen Gehalt an Kohlenwasserstoffen bestehen, das in der Regel nicht mit einem hohen Gehalt an Kohlenwasserstoffen versehen ist.
Die Ausrüstung ist aus einem Material mit einem hohen Gehalt an Kohlenwasserstoffen bestehen, das in der Regel nicht mit einem hohen Gehalt an Kohlenwasserstoffen versehen ist.

Die Ausrüstung ist aus einem Material mit einem hohen Gehalt an Kohlenwasserstoffen bestehen, das in der Regel nicht mit einem hohen Gehalt an Kohlenwasserstoffen versehen ist.

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
256Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
2ns
Lieferanten-Gerätepaket:
90-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
Uhrfrequenz:
166 MHz
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
5 ns
Packung / Gehäuse:
90-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
8M x 32
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM
Basisproduktnummer:
AS4C8M32
Speicherformat:
DRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Produkt-Beschreibung
SDRAM-Speicher IC 256Mbit Parallel 166 MHz 5 ns 90-TFBGA (8x13)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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