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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • MR0A08BYS35

MR0A08BYS35

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
35ns
Lieferanten-Gerätepaket:
44-TSOP2
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Mfr:
Everspin Technologies Inc.
Speichergröße:
1Mbit
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
35 ns
Packung / Gehäuse:
44-TSOP (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
128K x 8
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Speicherformat:
Speicherplatz
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC-RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
Produkt-Beschreibung
MRAM (Magnetoresistive RAM) Speicher IC 1Mbit Parallel 35 ns 44-TSOP2

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