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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • GD25D10CEIGR

GD25D10CEIGR

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
1Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
SPI - Doppel E/A
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
50 μs, 4 ms
Lieferanten-Gerätepaket:
8-USON (2x3)
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Mfr:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Uhrfrequenz:
100 MHz
Spannung - Versorgung:
2.7V ~ 3.6V
Packung / Gehäuse:
8-XFDFN stellte Auflage heraus
Gedächtnisorganisation:
128K x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
BLITZ - NOCH
Basisproduktnummer:
GD25D10
Speicherformat:
Flasch
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8USON
Produkt-Beschreibung
FLASH - NOR Speicher IC 1Mbit SPI - Dual I/O 100 MHz 8-USON (2x3)

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