Nachricht senden
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-Mail ice@tsdatech.com TELEFON: 86--13825240555
Haus > produits > Chip des Flash-Speichers IC >
USE Gefahrenabweichung
  • USE Gefahrenabweichung
USE Gefahrenabweichung

USE Gefahrenabweichung

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
9Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
QDRTM
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
HSTL
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
165-FBGA (13x15)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
2.4V | 2.6V
Packung / Gehäuse:
165-TBGA
Gedächtnisorganisation:
512K x 18
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - synchron
Speicherformat:
SRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC SRAM 9MBIT HSTL 165FBGA
Produkt-Beschreibung
SRAM - Synchrone Speicher IC 9Mbit HSTL 200 MHz 165-FBGA (13x15)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

Empfohlene Produkte

Treten Sie mit uns jederzeit in Verbindung

86--13825240555
609 Nr. 4018-, baoan Straße, Xixiang-Straße, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Schicken Sie uns Ihre Untersuchung direkt