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IS61LPS51218B-200TQLI
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IS61LPS51218B-200TQLI

IS61LPS51218B-200TQLI

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
9Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheitliche Prüfungen
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
3.135V ~ 3.465V
Zugriffszeit:
3.1 ns
Packung / Gehäuse:
100-LQFP
Gedächtnisorganisation:
512K x 18
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchron, SDR
Basisproduktnummer:
IS61LPS51218
Speicherformat:
SRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP
Produkt-Beschreibung
SRAM - Synchrones, SDR-Speicher IC 9Mbit Parallel 200 MHz 3,1 ns 100-LQFP (14x20)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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