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Die Bezeichnung "Methode" ist in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 zu finden.5
  • Die Bezeichnung
Die Bezeichnung

Die Bezeichnung "Methode" ist in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 zu finden.5

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
8Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
SYNCBURSTTM
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
165-FBGA (13x15)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
100 MHz
Spannung - Versorgung:
3.135V | 3.6V
Packung / Gehäuse:
165-TBGA
Gedächtnisorganisation:
512K x 18
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Standard
Zugriffszeit:
8,5 ns
Speicherformat:
SRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC SRAM 8MBIT PAR 165FBGA
Produkt-Beschreibung
SRAM - Standardspeicher IC 8Mbit Parallel 100 MHz 8,5 ns 165-FBGA (13x15)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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