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Die Bezeichnung "Methode" ist in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 zu finden.5
  • Die Bezeichnung
Die Bezeichnung

Die Bezeichnung "Methode" ist in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 zu finden.5

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
9Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
QDR®
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
HSTL
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
165-FBGA (13x15)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
133 MHZ
Spannung - Versorgung:
2.4V | 2.6V
Packung / Gehäuse:
165-TBGA
Gedächtnisorganisation:
512K x 18
Betriebstemperatur:
-20 °C ~ 110 °C (TJ)
Technologie:
SRAM - synchron
Zugriffszeit:
3 ns
Speicherformat:
SRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC SRAM 9MBIT HSTL 165FBGA
Produkt-Beschreibung
SRAM - Synchrone Speicher IC 9Mbit HSTL 133 MHz 3 ns 165-FBGA (13x15)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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