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USE Gefahrenabweichung
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USE Gefahrenabweichung

USE Gefahrenabweichung

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
2Gbit
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
14.4ns
Lieferanten-Gerätepaket:
60-VFBGA (8x9)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
208 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V | 1.95V
Zugriffszeit:
5 ns
Packung / Gehäuse:
60-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
128M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR
Basisproduktnummer:
USE Gefahrenabweichung
Speicherformat:
DRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
GLEICHHEIT 208MHZ 60VFBGA IC-D-RAM-2GBIT
Produkt-Beschreibung
SDRAM - Bewegliches LPDDR-Gedächtnis IC 2Gbit entsprechen 208 MHZ 5 ns 60-VFBGA (8x9)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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