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USE Gefahrenabweichung
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USE Gefahrenabweichung

USE Gefahrenabweichung

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512Mbit
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
2,5 V ~ 2,7 V
Zugriffszeit:
700 ps
Packung / Gehäuse:
60-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
128 M x 4
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Basisproduktnummer:
USE Gefahrenabweichung
Speicherformat:
DRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Produkt-Beschreibung
SDRAM – DDR-Speicher-IC 512 Mbit parallel 200 MHz 700 PS 60-FBGA (10 x 12,5)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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