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USE Gefahrenabweichung
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USE Gefahrenabweichung

USE Gefahrenabweichung

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
128Mbit
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
66-TSOP
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
167 MHZ
Spannung - Versorgung:
2.3V | 2.7V
Zugriffszeit:
700 ps
Packung / Gehäuse:
66-TSSOP (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
16M x 8
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Basisproduktnummer:
USE Gefahrenabweichung
Speicherformat:
DRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
Produkt-Beschreibung
SDRAM - DDR-Gedächtnis IC 128Mbit entsprechen 167 MHZ 700 ps 66-TSOP

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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