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R1WV6416RBG-5SI#B0
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R1WV6416RBG-5SI#B0

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
55ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Werte der Werte, die für die Berechnung der Werte der Werte verwendet
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
RENESAS
Speichergröße:
64 Mbit
Spannung - Versorgung:
2.7V ~ 3.6V
Packung / Gehäuse:
48-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
4M x 16, 8M x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Zugriffszeit:
55 ns
Speicherformat:
SRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
R1WV6416RBG-5SI - SRAM mit geringer Leistung
Produkt-Beschreibung
SRAM - Asynchrone Speicher IC 64 Mbit Parallel 55 ns 48-TFBGA (8,5x11)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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