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CY14B104N-BA20XC
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CY14B104N-BA20XC

CY14B104N-BA20XC

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schlauch
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
20ns
Lieferanten-Gerätepaket:
48-FBGA (6x10)
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Speichergröße:
4Mbit
Spannung - Versorgung:
2.7V ~ 3.6V
Zugriffszeit:
20 ns
Packung / Gehäuse:
48-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
256K x 16
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
NVSRAM (permanentes SRAM)
Basisproduktnummer:
CY14B104
Speicherformat:
NVSRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Produkt-Beschreibung
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speicher IC 4Mbit Parallel 20 ns 48-FBGA (6x10)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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