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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • MD2114AL3

MD2114AL3

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
M2114A
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
150 ns
Lieferanten-Gerätepaket:
18-CDIP
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Informationen
Speichergröße:
4 Kbit
Spannung - Versorgung:
4.5V ~ 5.5V
Packung / Gehäuse:
18-CDIP
Gedächtnisorganisation:
1K x 4
Betriebstemperatur:
-55 °C ~ 125 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Zugriffszeit:
150 ns
Speicherformat:
SRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18CDIP
Produkt-Beschreibung
SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Kbit Parallel 150 ns 18-CDIP

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