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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 festgelegten Maßnahmen zu ergreifen.
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 festgelegten Maßnahmen zu ergreifen.

Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 festgelegten Maßnahmen zu ergreifen.

Produkt-Details
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
576 Mbit
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
HSTL
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
RENESAS
Uhrfrequenz:
533 MHZ
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.9V
Zugriffszeit:
300 PS
Packung / Gehäuse:
144-TBGA
Gedächtnisorganisation:
16 M x 36
Betriebstemperatur:
0°C | 95°C (TC)
Technologie:
LDRAM
Basisproduktnummer:
UPD48576236
Speicherformat:
DRAM
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
Produkt-Beschreibung
LLDRAM-Speicher IC 576Mbit HSTL 533 MHz 300 PS 144-TFBGA (11x18.5)

Umbauten:

Chip des Flash-Speichers IC,

Chip der integrierten Schaltung,

Speicherchips

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