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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 zu finden.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
40 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP2
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.1V @ 15V, 25A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP2
Mfr:
Microsemi Corporation
Betriebstemperatur:
-
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
µA 250
IGBT-Art:
NPT und Fieldstop
Macht- maximales:
227 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
2.02 nF @ 25 V
Konfiguration:
Vollbrücke
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
APTGFQ25
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IGBT-Module 1200V 40A 227W SP2
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul NPT und Feldstop Vollbrücke 1200 V 40 A 227 W durch Loch SP2

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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