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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 genannten Kosten.
  • Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 genannten Kosten.
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 genannten Kosten.

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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Tray
Reihe:
TrenchStop™
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
-
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Angabe der Größenordnung ist nicht erforderlich.
Mfr:
Infineon Technologies
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Packung / Gehäuse:
Modul
Eingabe:
Standards
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Konfiguration:
Halbbrücke-Inverter
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
FP15R12
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IGBT-Module mit geringer Leistung
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Half Bridge Inverter 1200 V Fahrgestell AG-EASY1B-2

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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