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FZ2000R33HE4BOSA1
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FZ2000R33HE4BOSA1

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
2000 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Tray
Reihe:
IHM-B
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.2V @ 15V, 2kA (Typ)
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
3300 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40°C | 150°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
5 MA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
4.2 mW
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
280 nF @ 25 V
Konfiguration:
Einzelner Schalter
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
FZ2000
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Single Switch 3300 V 2000 A 4,2 mW Fahrgestell AG-IHVB190-3

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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