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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die Ausrüstung wird von der Abteilung für Luftfahrt und Raumfahrt der Kommission erstellt.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
75 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP4
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.1V @ 15V, 50A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP4
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40°C | 150°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
µA 250
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
277 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
3.6 nF @ 25 V
Konfiguration:
Asymmetrische Brücke
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
APTGT50
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IGBT-Module 1200V 75A 277W SP4
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeldstoppe Asymmetrische Brücke 1200 V 75 A 277 W Fahrgestell SP4

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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