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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
466 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schlauch
Reihe:
FRED Pt®
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
1.47V @ 15V, 300A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
600 V
Lieferanten-Gerätepaket:
INT-A-PAK
Mfr:
Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Betriebstemperatur:
-40°C | 175°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
200 µA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
882 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
24.2 nF @ 25 V
Konfiguration:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Nein.
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IGBT MOD 600V 580A INT-A-PAK
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeld Stop Halbbrücke 600 V 466 A 882 W Fahrgestell INT-A-PAK

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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