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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
118 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schachtel
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.6V @ 15V, 75A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
-
Mfr:
Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
100 µA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
431 W
Eingabe:
Standards
Betriebstemperatur:
-40°C | 150°C (TJ)
Konfiguration:
Vollbrücke
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
ECONO - 4 PACK IGBT
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeld Stop Vollbrücke 1200 V 118 A 431 W Fahrgestell

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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