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NXH350N100H4Q2F2PG
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NXH350N100H4Q2F2PG

NXH350N100H4Q2F2PG

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
303 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Tray
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
1.8V @ 15V, 375A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1000 V
Lieferanten-Gerätepaket:
42-PIM/Q2PACK (93x47)
Mfr:
Ein- und zweimal
Betriebstemperatur:
-40°C | 150°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
1 MA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
592 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
24.146 nF @ 20 V
Konfiguration:
Dreistufiger Wechselrichter
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
NXH350
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IC-Module PIM 350A 1000V
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeldstopp Drei-Ebenen-Wechselrichter 1000 V 303 A 592 W Fahrgestellmontage 42-PIM/Q2PACK (93x47)

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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