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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
100 A
Produktstatus:
Letztes Mal-Kauf
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
EMIPAK-2B
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
1.93V @ 15V, 75A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
600 V
Lieferanten-Gerätepaket:
EMIPAK-2B
Mfr:
Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
100 µA
IGBT-Art:
Graben
Macht- maximales:
294 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
4.44 nF @ 30 V
Konfiguration:
Dreistufiger Wechselrichter
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
ETF075
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IGBT MOD 600V 109A EMIPAK-2B
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul-Graben Drei-Ebenen-Inverter 600 V 100 A 294 W Fahrgestell EMIPAK-2B

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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