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FS50R12W2T7B11BOMA1
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
50 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Tray
Reihe:
EasyPACK™
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
1.5V @ 15V, 50A (Typ)
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
7.9 μA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
20 mW
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
N-Düngung 11,1 @ 25 V
Konfiguration:
Vollbrücke
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
FS50R12
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 50A
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeld Stop Vollbrücke 1200 V 50 A 20 mW Fahrgestellmontage-Modul

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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