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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
75 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
sp1
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.4V @ 15V, 50A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1700 V
Lieferanten-Gerätepaket:
sp1
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40°C | 150°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
µA 250
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
312 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
4.4 nF @ 25 V
Konfiguration:
Einzigartig
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
APTGT50
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IGBT-Module 1700V 75A 312W SP1
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeldstoppe Einzige 1700 V 75 A 312 W Fahrgestellmontage SP1

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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