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FF75R12RT4HOSA1
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FF75R12RT4HOSA1

FF75R12RT4HOSA1

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
75 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Tray
Reihe:
PrimePackTM2
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.15V @ 15V, 75A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40°C | 150°C
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
1 MA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
395 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
4.3 nF @ 25 V
Konfiguration:
2 unabhängig
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
FF75R12
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 75A 395W
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Trench Field Stop 2 unabhängige 1200 V 75 A 395 W Chassismontage-Modul

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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