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APTCV90TL12T3G
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APTCV90TL12T3G

APTCV90TL12T3G

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
80 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP3
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.2V @ 15V, 50A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP3
Mfr:
Microsemi Corporation
Betriebstemperatur:
-40°C | 175°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
1 MA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
280 w
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
2.77 nF @ 25 V
Konfiguration:
Drei-Ebenen-Wechselrichter - IGBT, FET
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IGBT-Module 1200V 80A 280W SP3
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Trennfeldstopp Drei-Ebenen-Wechselrichter - IGBT, FET 1200 V 80 A 280 W Fahrgestellmontage SP3

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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