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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
65 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Tray
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.25V @ 15V, 35A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40°C | 150°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
1 MA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
225 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
2 nF @ 25 V
Konfiguration:
Dreiphaseninverter
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
FS35R12
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 65A 225W
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Trennfeld-Stopp Dreiphasen-Wechselrichter 1200 V 65 A 225 W Fahrgestellmontage Modul

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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