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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
140 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP6
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.15V @ 15V, 100A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP6-P
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40°C | 175°C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
µA 250
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Macht- maximales:
517 W
Eingabe:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
6.2 nF @ 25 V
Konfiguration:
Dreiphasig
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
Die Ausnahme gilt für die folgenden Kategorien:
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IGBT-Module 1200V 140A 517W SP6P
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
IGBT-Modul Gräbenfeld-Stopp Drei-Phase 1200 V 140 A 517 W Fahrgestellmontage SP6-P

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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