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PTFA191001EV4R250XTMA1
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PTFA191001EV4R250XTMA1

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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - bewertet:
65 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
H-36248-2
Spannung - Test:
30 V
Mfr:
Infineon Technologies
Häufigkeit:
1.96 GHz
Gewinn:
17dB
Packung / Gehäuse:
2-Flachbeutel, Flossenleiter
Gegenwärtig - Test:
900 MA
Leistungsabgabe:
44dBm
Technologie:
ldmos
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
10µA
Basisproduktnummer:
PTFA191001
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
RF Mosfet 30 V 900 mA 1,96 GHz 17 dB 44 dBm H-36248-2

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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