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BG3123E6327HTSA1
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - bewertet:
8 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Konfiguration:
N-Kanal 2 (Doppel)
Reihe:
-
Rauschmaß:
10,8 dB
Lieferanten-Gerätepaket:
PG-SOT363-PO
Spannung - Test:
5 V
Mfr:
Infineon Technologies
Häufigkeit:
800MHz
Gewinn:
25dB
Packung / Gehäuse:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Gegenwärtig - Test:
14 MA
Leistungsabgabe:
-
Technologie:
MOSFET
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
25 mA, 20 mA
Basisproduktnummer:
BG3123
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
Funkfrequenz Mosfet 5 V 14 mA 800 MHz 25 dB PG-SOT363-PO

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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