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PTFA142401ELV4XWSA1
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Chassishalterung
Spannung - bewertet:
65 V
Paket:
Tray
Reihe:
-
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
H-33288-2
Spannung - Test:
30 V
Mfr:
Infineon Technologies
Häufigkeit:
1.5GHz
Gewinn:
16.5 dB
Packung / Gehäuse:
H-33288-2
Gegenwärtig - Test:
2 A
Leistungsabgabe:
240W
Technologie:
ldmos
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
10µA
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
RF Mosfet 30 V 2 A 1,5 GHz 16,5 dB 240W H-33288-2

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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