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1012GN-800V
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1012GN-800V

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - bewertet:
150 V
Paket:
Schüttgut
Konfiguration:
-
Reihe:
V
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
55-KR
Spannung - Test:
54 V
Mfr:
Mikrochiptechnik
Häufigkeit:
1.025 GHz ~ 1.15 GHz
Gewinn:
19.3 dB
Packung / Gehäuse:
55-KR
Gegenwärtig - Test:
120 MA
Leistungsabgabe:
825 W
Technologie:
-
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
-
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
- Das ist nicht der Fall.
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
RF Mosfet 54 V 120 mA 1,025 GHz ~ 1,15 GHz 19,3 dB 825W 55-KR

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