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A2I20H060NR1
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A2I20H060NR1

A2I20H060NR1

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - bewertet:
65 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Konfiguration:
Doppel
Reihe:
-
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Ausrüstung ist aus einem Stahlwerk bestehen.
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Häufigkeit:
10,84 GHz
Gewinn:
280,9 dB
Packung / Gehäuse:
TO-270-15 Variante mit flachen Leitungen
Gegenwärtig - Test:
24 MA
Leistungsabgabe:
12W
Technologie:
ldmos
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
A2I20
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IC-TRANSPORT-RF LDMOS
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
RF Mosfet 28 V 24 mA 1,84 GHz 28,9 dB 12W TO-270WB-15

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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