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A2I08H040GNR1
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A2I08H040GNR1

A2I08H040GNR1

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - bewertet:
65 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Konfiguration:
Doppel
Reihe:
-
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-270WBG-15
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Häufigkeit:
920 MHz
Gewinn:
300,7 dB
Packung / Gehäuse:
TO-270-15 Variante, Möwenflügel
Gegenwärtig - Test:
25 MA
Leistungsabgabe:
9W
Technologie:
ldmos
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
A2I08
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
IC RF LDMOS AMP
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
RF Mosfet 28 V 25 mA 920MHz 30,7 dB 9W TO-270WBG-15

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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