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IGN1214L500B
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IGN1214L500B

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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Spannung - bewertet:
160 V
Paket:
Tray
Reihe:
-
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
PL95A1
Spannung - Test:
50 V
Mfr:
Integra Technologies Inc.
Häufigkeit:
1.2 GHz ~ 1.4 GHz
Gewinn:
15dB
Packung / Gehäuse:
PL95A1
Gegenwärtig - Test:
200 MA
Leistungsabgabe:
650W
Technologie:
HEMT
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
IGN1214
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
GAN, HF-Krafttransistor, L-Band
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
RF Mosfet 50 V 200 mA 1,2 GHz ~ 1,4 GHz 15 dB 650W PL95A1

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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