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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Chassishalterung
Spannung - bewertet:
105 V
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Konfiguration:
Doppel
Reihe:
-
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
NI-1230-4H
Spannung - Test:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Häufigkeit:
1.4GHz
Gewinn:
170,7 dB
Packung / Gehäuse:
SOT-979A
Gegenwärtig - Test:
100 MA
Leistungsabgabe:
1000 W
Technologie:
ldmos
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
MMRF1314
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
SPITZE 50V TRANSPORTES 960-1215MHZ 1000W
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
RF Mosfet 50 V 100 mA 1,4 GHz 17,7 dB 1000W NI-1230-4H

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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