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NE6510179A-A
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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Spannung - bewertet:
8 V
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
79A
Spannung - Test:
3,5 V
Mfr:
CEL
Häufigkeit:
1.9GHz
Gewinn:
10dB
Packung / Gehäuse:
4-SMD, flache Leitungen
Gegenwärtig - Test:
200 MA
Leistungsabgabe:
32.5 dBm
Technologie:
GaAs HJ-FET
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
2.8A
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
FET RF 8V 1,9 GHz 79A
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
RF Mosfet 3,5 V 200 mA 1,9 GHz 10 dB 32,5 dB 79A

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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