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NPT1007B
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NPT1007B

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Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Spannung - bewertet:
100 V
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
-
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
MACOM-Technologie-Lösungen
Häufigkeit:
900MHz
Gewinn:
18.3 dB
Packung / Gehäuse:
-
Gegenwärtig - Test:
1,4 A
Leistungsabgabe:
53dBm
Technologie:
HEMT
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
20.5A
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
RF Mosfet 28 V 1,4 A 900 MHz 18,3 dB 53 dBm

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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