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IGN1011L1200
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IGN1011L1200

IGN1011L1200

Produkt-Details
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Spannung - bewertet:
180 V
Paket:
Tray
Reihe:
-
Rauschmaß:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
PL84A1
Spannung - Test:
50 V
Mfr:
Integra Technologies Inc.
Häufigkeit:
1.03 GHz ~ 1.09 GHz
Gewinn:
160,8 dB
Packung / Gehäuse:
PL84A1
Gegenwärtig - Test:
160 MA
Leistungsabgabe:
1250W
Technologie:
HEMT
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
IGN1011
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Lagerbestand
Vorräte
Versandmethode
LCL, AIR, FCL, Express
Beschreibung
GAN, HF-Krafttransistor, L-Band
Zahlungsbedingungen
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Produkt-Beschreibung
RF Mosfet 50 V 160 mA 1,03 GHz ~ 1,09 GHz 16,8 dB 1250W PL84A1

Umbauten:

Transistor-IC-Chip,

eingebetteter Chip,

eingebetteter Chip SMD

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